氧和水份對(dui)合成反應(ying)傷(shang)害很大(da)

       影響三氯(lv)氫(qing)硅生產合成的(de)(de)因素(su)主(zhu)要(yao)有：溫度、氧和水分的(de)(de)影響、游(you)離氯(lv)的(de)(de)控制、硅粉粒(li)度、料層高度和氯(lv)化氫(qing)流(liu)量。以(yi)下針(zhen)對影響因素(su)作簡要(yao)概述。

       硅粉粒度

       硅粉與氯化氫氣體反應是(shi)在硅(gui)的(de)表面進行(xing)(xing)的(de)，硅(gui)粉(fen)比(bi)表面積越大(da)，越有利(li)于反應，即要(yao)求硅(gui)粉(fen)粒度應該較小(xiao)(xiao)。但是(shi)粒度過(guo)小(xiao)(xiao)，流化(hua)時容易形成(cheng)聚式流化(hua)床，有較多的(de)氣泡，將抑制傳質(zhi)進行(xing)(xing)，使氯 化(hua)氫(qing)的(de)一(yi)次轉化(hua)率降低(di)，同時，較小(xiao)(xiao)的(de)顆粒迅(xun)速(su)反應，很(hen)快就達到(dao)帶(dai)出粒徑范(fan)圍，使硅(gui)粉(fen)的(de)利(li)用率降低(di)。因(yin)此，選用粒度適中的(de)硅(gui)粉(fen)是(shi)很(hen)重(zhong)要(yao)的(de)。

       氧和水份的影響

       氧和水(shui)份對合成(cheng)反應傷(shang)害很(hen)大，因為(wei)Si-0化學鍵比Si-Cl化學鍵更穩(wen)定，進(jin)(jin)入系(xi)統(tong)的(de)氧元素都會與硅合成(cheng)硅膠或硅氧烷類物(wu)質，一方(fang)面在硅粉(fen)表面形(xing)成(cheng)一層致(zhi)密(mi)的(de)氧化膜，影響反應的(de)正常(chang)進(jin)(jin)行，使產物(wu)中三氯氫硅含量降低，此外還形(xing)成(cheng)硅膠類物(wu)質堵塞(sai)管道，使生(sheng)產系(xi)統(tong)發生(sheng)故障。

       料(liao)層高度和氯化氫流量(liang)

       有(you)形成“管涌”的(de)可能性，如果料層(ceng)過低(di)，產(chan)(chan)生不均勻沸騰，反應的(de)接觸時間也(ye)縮短，產(chan)(chan)量會降低(di)。氯(lv)化氫的(de)流量決(jue)定(ding)了顆粒(li)床的(de)流化狀(zhuang)態。具體(ti)的(de)料層(ceng)高度和氯(lv)化氫流量需(xu)通(tong)過實際生產(chan)(chan)實踐確定(ding)。

       氯化氫中游離氯的控制

       游離氯(lv)(lv)對合(he)成(cheng)爐的(de)影響主要是(shi)兩(liang)個方面：一是(shi)含量(liang)過(guo)高有爆(bao)炸危險，另外是(shi)會影響合(he)成(cheng)的(de)質量(liang)。通過(guo)氯(lv)(lv)化氫(qing)合(he)成(cheng)爐反應時氫(qing)過(guo)量(liang)4%左右來(lai)(lai)控(kong)制游離氯(lv)(lv)，并用含量(liang)檢測儀連(lian)續(xu)檢測氯(lv)(lv)化氫(qing)的(de)質量(liang)來(lai)(lai)確保游離氯(lv)(lv)含量(liang)低(di)于生(sheng)產要求(qiu)

       三(san)氯(lv)氫硅生(sheng)產合成中，用到的材料其(qi)特(te)殊性，直接關系到三(san)氯(lv)氫硅的產品品質(zhi)，以及合成過(guo)程的正常運行。

       山東言赫化工有限公司專業經營淄博萬達利特種氣體公司生產的氯化氫是在淄博齊魯石化工業園區注冊的高新科技企業，淄博萬達利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術和化工新技術的研發，以及高新技術產品的生產和銷售。研發的沸石催化劑及其應用技術處于世界先進水平.生產的“華宇同方”牌高純氯化氫產(chan)品(pin)(pin)與(yu)國際知名(ming)品(pin)(pin)牌的(de)性能相當,為(wei)半導體(ti)器件制造業、光(guang)伏產(chan)業和(he)醫(yi)藥工(gong)業提供了充足的(de)優質原材料。